漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型

• 作者: 张波 李琦 李肇基
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 阶梯掺杂 模型 优化 调制
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1891-1896
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4792字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.03.099

摘要

提出表面阶梯掺杂(SD:step Doping on surface)LDMOS的二维击穿电压模型.基于求解多区二维Poisson方程,获得SD结构表面电场的解析式.借助此模型,研究其结构参数对击穿电压的影响;计算优化漂移区浓度和厚度与结构参数的关系,给出获得最大击穿电压的途径.数值结果,解析结果和试验结果符合较好.漂移区各区和衬底电场相互调制,在漂移区中部产生新的峰值,改善电场分布;高掺杂区位于表面,降低了正向导通电阻.结果表明:SD结构较常规结构击穿电压从192 V提高到242 V,导通电阻下降33%.