高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器

• 作者: 刘挺 杨谟华 王振 罗木昌 赵文伯 赵红 邹泽亚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 日光盲 高温AlN模板 背照式探测器 p-i-n
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: O47
• 字数: 657字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.004

摘要

第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨谟华	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	58	278	8.0	11.0
2	邹泽亚	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	10	2.0	2.0
4	刘挺		2	10	2.0	2.0
5	王振		4	18	3.0	4.0
6	赵红		11	53	4.0	7.0
7	赵文伯		20	159	5.0	12.0
8	罗木昌		13	78	5.0	8.0