衬底温度和硼掺杂对P型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的影响

• 作者: Gao Xiao-Yong Wang Chang-Zhou Wen Li-Wei 卢景霄 杨仕娥 谷锦华 陈永生
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p型氢化微晶硅薄膜 衬底温度 晶化率 电导率
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 5176-5181
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3421字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.08.081

摘要

以B2H6为掺杂剂,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜.研究了衬底温度和硼烷掺杂比对薄膜的微结构和暗电导率的影响.结果表明:在较高的衬底温度下很低的硼烷掺杂比即可导致薄膜非晶化;在实验范围内,随着衬底温度升高薄膜的晶化率单调下降,暗电导率先缓慢增加然后迅速下降,变化趋势与硼烷掺杂比的影响极为相似.最后着重讨论了p型氢化微晶硅薄膜的生长机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谷锦华	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	25	103	6.0	8.0
2	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
3	杨仕娥	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	68	513	12.0	18.0
4	卢景霄		2	19	2.0	2.0
5	Wen Li-Wei	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	11	1.0	1.0
6	Wang Chang-Zhou	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	11	1.0	1.0
7	Gao Xiao-Yong	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	11	1.0	1.0