掩模版雾状缺陷的解决方案

• 作者: 陈尧 黄其煜
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 雾状缺陷 掩模版 存储环境 使用寿命
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进器件制备技术)
• 页码范围: 869-871
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2173字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.007

摘要

在光刻波长进入到193 nm之后,雾状缺陷(haze defect)越发严重,研究发现环境是雾状缺陷产生的重要原因.目前晶圆厂主要采用改善掩模版工作环境和存储环境两种方式解决雾状缺陷,通过对这两种方案的对比表明,对掩模版的存储环境进行改善,可有效降低掩模版雾状缺陷的发生频率,提高掩模版的使用寿命,并且整体费用较低,是目前比较可行的方案,掩模版的无S化工艺也是未来发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄其煜	上海交通大学微电子学院	37	221	7.0	14.0
2	陈尧	上海交通大学微电子学院	61	345	11.0	16.0