SiGe HBT低频噪声PSPICE模拟分析

• 作者: 张万荣 沙永萍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 低频噪声 PSPICE 模拟
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 51-55
• 页数: 5页
• 分类号: TN385
• 字数: 3005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.01.013

摘要

对SiGe HBT低频噪声的各噪声源进行了较全面的分析,据此建立了SPICE噪声等效电路模型,进一步用PSPICE软件对SiGe HBT的低频噪声特性进行了仿真模拟.研究了频率、基极电阻、工作电流和温度等因素对低频噪声的影响.模拟结果表明,相较于Si BJT和GaAs HBT,SiGe HBT具有更好的低频噪声特性;在低频范围内,可通过减小基极电阻、减小工作电流密度或减小发射极面积、降低器件的工作温度等措施来有效改善SiGe HBT的低频噪声特性.所得结果对SiGe HBT的设计和应用有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电控学院	105	390	8.0	12.0
2	沙永萍	北京工业大学电控学院	2	10	2.0	2.0