用电学参数表征晶体硅太阳电池特性

• 作者: 刁宏伟 周春兰 李海玲 王文静 赵雷
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体硅 太阳电池 转换效率 电学参数 晶体缺陷
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 1163-1170
• 页数: 8页
• 分类号: TM914.41
• 字数: 5335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2008.07.003

摘要

为了分析3种不同类型的商业太阳电池片,即P型铸造多晶硅太阳电池、定边喂膜生长硅(EFG)太阳电池和单晶硅太阳电池中存在的影响电池效率的可能性缺陷,对太阳电池的电性能参数如光谱响应曲线、短路电流的二维分布、串联电阻、并联电阻、二极管理想因子、反向饱和电流等进行了表征和分析.对比分析了对太阳电池增加偏置白光前后的光谱响应(外量子效率EQE)曲线,然后采用光束诱导电流(LBIC)法和电流-电压(I-V) (暗,光照)法分别测试了太阳电池中形成漏电缺陷的面分布和太阳电池的电性能参数并借助于太阳电池的二极管等效模型拟合了I-V曲线.结合这3种分析测试方法,得出在铸造多晶硅、EGF太阳电池中影响电池参数的主要缺陷是晶界、位错以及材料中的杂质,而影响单晶硅太阳电池的却是存在于体内的金属杂质等.由于原材料中存在不同的少子复合中心,使最终多晶硅,EFG和单晶硅太阳电池的转换效率分别为10.5%,11.7%和15.7%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周春兰	中国科学院电工研究所	19	245	8.0	15.0
2	赵雷	中国科学院电工研究所	25	210	9.0	14.0
3	王文静	中国科学院电工研究所	32	266	8.0	16.0
4	李海玲	中国科学院电工研究所	12	163	6.0	12.0
5	刁宏伟	中国科学院电工研究所	16	222	8.0	14.0