探测器中扩散结深对光响应度影响的研究

• 作者: 冯士维 孟海杰 庄四祥 王承栋 白云霞 苏蓉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 探测器 光响应度 InGaAs/InP 结深
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进器件制备技术)
• 页码范围: 855-858
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 字数: 2620字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.003

摘要

研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的Ⅰ-Ⅴ特性和光响应度.结果表明:扩散结深对器件的Ⅰ-Ⅴ特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时,光响应度最大值出现在波长1.55um处;而当结深进入衬底InP层后,光响应度最大值则出现在波长1um处.另外,在闭管扩散实验中,严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键,研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深,为器件的制备提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯士维	北京工业大学电子信息与控制工程学院	59	438	12.0	18.0
2	王承栋	北京工业大学电子信息与控制工程学院	7	31	3.0	5.0
3	白云霞	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	13	2.0	2.0
4	孟海杰	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	14	2.0	3.0
5	庄四祥	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	8	2.0	2.0
6	苏蓉	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	6	2.0	2.0