0.8～8.5 GHz宽带单片低噪声放大器

• 作者: 吴洪江 张务永 柳现发 王德宏 王绍东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽频带 低噪声放大器 负反馈 微波单片集成电路
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 514-516,519
• 页数: 4页
• 分类号: TN722
• 字数: 2562字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.06.015

摘要

利用负反馈放大器设计原理,采用GaAs PHEMT工艺技术,设计制作了一种微波宽带GaAs PHEMT低噪声放大器芯片,并给出了详细测试曲线.该放大器由两级组成,采用负反馈结构,工作频率0.8～8.5 GHz,整个带内功率增益19 dB,噪声系数1.55 dB,增益平坦度小于±0.7 dB,输入驻波比1.6,输出驻波比1.8,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm,芯片内部集成偏置电路,单电源+5 V供电,芯片具有良好的温度特性.该芯片面积为2.5 mm × 1.2 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	张务永	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	33	4.0	4.0
3	王绍东	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	78	6.0	8.0
4	柳现发	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	30	4.0	4.0
5	王德宏	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	32	3.0	4.0