一种新型的全片内低噪声CMOS低压差线性稳压器

• 作者: 严晓浪 何乐年 毛毳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低压差线性稳压器 低噪声 片上集成 射频接收器
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1602-1607
• 页数: 6页
• 分类号: TN401
• 字数: 3549字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.037

摘要

提出了一种全片内集成的低噪声CMOS低压差线性稳压器(LDO).首先建立传统LDO的噪声模型,分析了关键噪声来源并提出采用低噪声参考电压源来降低LDO输出噪声的方法.其次,提出一种带数字校正的基于阈值电压的低噪声参考电压源,用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并完成了为低相位噪声锁相环(PLL)电路供电的全片内集成低噪声LDO的流片和测试.该LDO被集成于高性能射频接收器芯片中.仿真结果表明,LDO的输出噪声低于26nV/√Hz@100kHz,14nV/√Hz@1MHz,电源抑制比达到-40dB@1MHz,全频率范围内低于-34dB.测试结果表明采用该低噪声LDO的PLL电路与采用传统LDO的PLL电路相比,其相位噪声降低6dBc@lkHz,低2dBc@200kHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严晓浪	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	246	1634	19.0	29.0
2	毛毳	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	4	26	2.0	4.0
3	何乐年	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	88	869	16.0	26.0