2dB噪声系数的Ka波段宽带高增益单片低噪声放大器

• 作者: 刘训春 张宗楠 杨浩 郝明丽 黄清华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微波单片集成电路 低噪声放大器 Ka波段 噪声系数 高增益
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1457-1460
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 626字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.007

摘要

报道了一种基于商用0.15um赝配高电子迁移率晶体管工艺的单片低噪声放大器,工作频率范围为23~36GHz.它采用自偏置结构.对晶体管栅宽进行了优化设计减小栅极电阻,以得到低的噪声系数.采用吸收回路和加电阻电容网络的直流偏置结构提高电路稳定性,用多谐振点方法和负反馈技术扩展带宽.测试结果表明,其噪声系数低于2.0dB,在31GHz处,噪声系数仅为1.6dB.在整个工作频带范崮内,增益大于26dB,输入回波损耗大于11dB,输出回波损耗大于13dB.36GHz处的ldB压缩点输出功率为14dBm.芯片尺寸为2.4mm×1mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨浩	中国科学院微电子研究所	112	4085	31.0	63.0
2	刘训春	中国科学院微电子研究所	43	222	9.0	11.0
3	黄清华	中国科学院微电子研究所	11	53	4.0	7.0
4	郝明丽	中国科学院微电子研究所	20	65	5.0	6.0
5	张宗楠	中国科学院微电子研究所	3	14	2.0	3.0