氨化Si基Ga2O3/Co薄膜制备GaN纳米线

• 作者: 庄惠照 李红 杨兆柱 秦丽霞 薛成山 陈金华
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 GaN纳米线 Co
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 851-852,856
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 1743字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.05.044

摘要

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的尺寸在 50～200nm之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	陈金华	山东师范大学半导体研究所	11	19	2.0	3.0
4	秦丽霞	山东师范大学半导体研究所	10	19	2.0	3.0
5	李红	山东师范大学半导体研究所	29	57	4.0	5.0
6	杨兆柱	山东师范大学半导体研究所	12	23	2.0	3.0