带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器

• 作者: 张健 张海英 李志强
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管 电阻性混频器 小型化Balun 集总.分布式
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 2454-2457
• 页数: 4页
• 分类号: TN77
• 字数: 3314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2008.12.034

摘要

本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器.Balun采用集总一分布式结构,使其长度与常用λ/4耦合线Balun相比缩小了11倍,大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸.混频器采用单半衡电阻性结构,在零功耗的情况下实现了良好的线性和口间隔离性能.测试结果显示,在固定中频160MHz,本振输入功率0dBm条件下,在3.5～5GHz RF频带内,最小变频损耗为8.3dB,1dB压缩点功率为8.0dBm,LO至IF之间的隔离度为38dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	中国科学院微电子研究所	272	3714	30.0	51.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	李志强	中国科学院微电子研究所	53	335	11.0	15.0