带复合掺杂层的InP基HBT新结构

• 作者: 任晓敏 崔海林 李轶群 江琳琳 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极晶体管 复合集电区 势垒尖峰
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 220-222
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.3|TN385
• 字数: 1532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.03.010

摘要

对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构在集电极区和次集电区之间插入一层特定厚度的P-InGaAs和两层特定厚度但不同掺杂浓度的n-InP层,从仿真结果出发对各种不同结构做出分析,发现这种新结构克服了双异质结双极晶体管的电流阻挡效应,同时很好地解决了传统的双HBT(DHBT)的电子堆积效应和SHBT反向击穿电压低的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永清	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	196	987	13.0	18.0
2	任晓敏	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	189	942	13.0	18.0
3	黄辉	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	59	282	10.0	12.0
4	李轶群	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	13	61	5.0	7.0
5	崔海林	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	10	39	4.0	5.0
6	江琳琳	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0