基于回归正交设计的ICP刻蚀机工艺腔室流场特性分析

• 作者: 朱煜 段广洪 王春洪 程嘉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 感应耦合等离子体 回归正交设计 cFD-ACE+ 工艺腔室
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 780-784
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.98
• 字数: 3473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.032

摘要

为研究感应耦合等离子体(IcP)刻蚀机工艺腔室结构对流场特性的影响,采用回归正交设计方法对腔室半径、腔室高度、进气口半径以及进气流量4个设计参数进行试验设计,利用商业软件CFD-AcE+建立IcP刻蚀机工艺腔室二维流场仿真模型.定义了静电卡盘上方气压分布均匀性评价函数,通过对试验结果的回归分析,确定了关键参数对气压分布均匀性影响程度的定量关系,并由此建立了拟合度较高的二次回归方程.结果表明腔室高度为最显著影响因素.经过验证可见,回归方程的计算结果与仿真分析结果保持了较高的一致性,可以为结构与工艺条件相近的刻蚀机、化学气相沉积(CVD)设备以及氧化/扩散系统的结构研究与设计提供参考.