长余辉发光材料中掺杂中心参数的理论估算

• 作者: 李新政 郑滨
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 变分原理 掺杂中心 陷阱深度 捕获半径
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 892-894
• 页数: 3页
• 分类号: O483|TN304
• 字数: 2192字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.013

摘要

采用复合体模型,探讨了长余辉晶体Y2O2S:Eu中碱土金属离子M2+和Ti4+离子对Y3+离子的取代,离子间价电子数的差异,会造成掺杂中心的净电荷效应,当掺杂中心的净电荷为正时,掺杂中心起电子陷阱作用;当掺杂中心的净电荷为负时,掺杂中心起空穴陷阱作用.利用量子力学变分原理获得了碱土金属离子M2+和Ti4+掺杂中心的势阱深度和捕获半径的对应关系,利用所得结论估算出共掺杂的空穴陷阱[MgY]和电子陷阱[TiY]+的有效捕获半径分别为0.117 nm和0.071 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑滨	河北科技大学理学院	4	97	2.0	4.0
2	李新政	河北科技大学理学院	13	47	2.0	6.0