IOGHz 0.25μm CMOS LC压控振荡器

• 作者: 冯军 李伟 王志功 王欢 章丽
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 压控振荡器 LC振荡器 CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 484-489
• 页数: 6页
• 分类号: TN772
• 字数: 869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.016

摘要

采用标准0.25μm CMOS工艺实现了10GHz LC压控振荡器.为了适应高频工作,并实现低相位噪声,该压控振荡器采用了手动优化的带中心抽头的对称电感,将A-MOS变容二极管与无源金属-绝缘层-金属电容串联,并采用了带LC滤波器的尾电流源.测试结果显示,当振荡频率为10.2GHz时,在1MHz频偏处相位噪声为-103.2dBc/Hz,调谐范围为11.5%.供电电压为3.3V时,核心电路功耗为9.0mW.芯片面积为0.67mm×0.58mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	东南大学射频与光电集成电路研究所	135	939	14.0	23.0
2	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
3	王欢	东南大学射频与光电集成电路研究所	26	75	6.0	7.0
4	冯军	东南大学射频与光电集成电路研究所	77	348	9.0	12.0
5	章丽	东南大学射频与光电集成电路研究所	36	217	9.0	12.0