射频芯片内DCXO的晶体振荡主电路设计

• 作者: 周健军 梅华灯 莫亭亭
• 来源期刊: 信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体振荡主电路 自动振幅控制 相位噪声
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 应用技术
• 页码范围: 81-83,96
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 3360字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-2552.2008.04.025

摘要

描述了一种射频芯片内数控晶体振荡器(DCXO)的振荡主电路设计,以Deep-N-Well CMOS工艺的PMOS为主工作管,采用Santos(改进Colpitts)结构、非对称差分式振幅控制环,避免了因Vt依赖工艺与温度等而产生的可靠启振问题.该10MHz DCXO振荡器主电路,采用TSMC Mixed/RF 0.18μm CMOS工艺,在2V电源电压下,仿真得到输出特性为:振幅峰峰值0.8V,平均电流2.9mA,相位噪声-140dBc/Hz@1kHz,-173dBc/Hz@1MHz,启动时间约2.8毫秒,可作为DCXO核心振荡模块.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周健军	上海交通大学微电子学院	18	51	4.0	6.0
2	梅华灯	上海交通大学微电子学院	1	6	1.0	1.0
3	莫亭亭	上海交通大学微电子学院	14	121	6.0	10.0