用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜

• 作者: 史慧玲 崇峰 胡理科 马骁宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD ZnO薄膜 GaAs 低温
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+5
• 字数: 865字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.002

摘要

采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O)作为生长源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法,在100～400℃低温范围内,在GaAs(001)衬底上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD),室温PL,AFM,SEM研究了薄膜的晶体结构特性、发光特性及表面形貌特性.XRD分析表明ZnO薄膜具有很强的c轴取向,(002)峰的FWHM平均值为0.3°.当生长温度达到400℃时从SEM测量结果可以观察到薄膜表面呈六角状结晶.随着生长温度的升高,薄膜的晶粒尺寸变大,结晶质量得到提高但同时表面变粗糙.室温PL测量显示薄膜在370nm附近有强的近带边发射,没有观测到深能级发射峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马骁宇	中国科学院半导体研究所光电子器件国家研究中心	93	616	12.0	21.0
2	崇峰	中国科学院半导体研究所光电子器件国家研究中心	2	10	2.0	2.0
3	胡理科	中国科学院半导体研究所光电子器件国家研究中心	2	9	2.0	2.0
4	史慧玲	中国科学院半导体研究所光电子器件国家研究中心	1	3	1.0	1.0