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推荐文章
175℃功率MOSFET场效应管在核磁共振功放电路中的应用
核磁共振测井仪器
全桥功放
耗散功率
结温
175℃失效率
一种互补结型场效应管负阻器件
结型场效应管
负阻器件
温度稳定性
特性分析
一种新型石墨烯条带隧穿场效应管
隧穿场效应管
PNIN-TFET
石墨烯
泄漏电流
开态电流
亚阈值摆幅
基于石墨烯异质结的隧穿场效应管研究
隧穿场效应管
石墨烯异质结
开态电流
亚阈值摆幅
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 V-MOS场效应管单端A类功放的制作
来源期刊 音响技术 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2008,(5) 所属期刊栏目 设计与制作
研究方向 页码范围 66-68
页数 3页 分类号 TN91
字数 3224字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1008-1003.2008.05.021
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
音响技术
双月刊
1008-1003
11-3014/TN
大16开
北京市
82-665
1992
chi
出版文献量(篇)
3402
总下载数(次)
3
总被引数(次)
1614
论文1v1指导