国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制

• 作者: 商庆杰 杨克武 郝建民 陈昊 霍玉柱 齐国虎
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 半绝缘衬底 金属肖特基场效应晶体管 外延 微波 功率器件
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 1007-1010
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.11.018

摘要

以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料.外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250 μm,饱和电流密度680 mA/mm,跨导约为20 mS/mm,在20 V下的栅漏截止漏电为10 μA,2 mA下栅漏击穿电压为80 V.比例占总数的70%以上.初步实现从衬底到外延,进而实现器件的完整工艺链,为进一步的工艺循环打下良好基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨克武	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	186	6.0	13.0
2	陈昊	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	41	4.0	6.0
3	郝建民	中国电子科技集团公司第四十六研究所	23	56	4.0	6.0
4	霍玉柱	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	8	2.0	2.0
5	商庆杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	13	3.0	3.0
6	齐国虎	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	8	2.0	2.0