升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜

• 作者: 吴爱民 姜辛 崔洪涛 秦福文 谭毅 闻立时
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅衬底 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 117-120
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1703字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.02.007

摘要

成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶国家重点实验室,辽宁大连 116024;2.锡根大学材料工程研究所,德国锡根 57076)金级Si衬底上175℃低温条件下沉积了一层优质多晶Si薄膜.研究了压强、流量比对多晶Si薄膜质量的影响,并用Raman、RHEED、SEM、XRD对薄膜结晶性、晶粒大小及显微组织结构进行了表征.发现在恒定气压下,结晶质量随流量比增大先变好后变差,即存在最佳流量比,0.16Pa对应10:5,而0.4 Pa对应10:6.8.