B掺杂对平面结构MOCVD-ZnO薄膜性能的影响

• 作者: GENG Xin-hua SUN Jian XUE Jun-ming 张德坤 赵颖 陈新亮
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD ZnO薄膜 B掺杂 太阳电池
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 997-1002
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

本文研究了B2H6掺杂流量(B掺杂)对平面结构MOCVD-ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响.XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明,玻璃衬底上制备的ZnO薄膜具有(002)峰择优取向的平面结构,B掺杂使薄膜的球状晶粒尺寸变小,10 sccm流量时晶粒尺寸为～15 nm.ZnO:B薄膜的最小电阻率为5.7×10-3Ω·cm.生长的ZnO薄膜(厚度d=1150 nm)在400～900 nm范围的透过率为82%～97%,且随着B2H6掺杂流量增大,光学吸收边呈现蓝移(即光学带隙Eg展宽)现象.