感应耦合等离子体刻蚀p-GaN的表面特性

• 作者: 吕玲 郝跃 龚欣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 感应耦合等离子刻蚀 表面处理 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1128-1132
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3307字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.080

摘要

研究了p-GaN材料经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后的表面特性,并用不同的方法对刻蚀表面进行处理.利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对刻蚀样品进行分析,并在样品表面制作Ni/Au电极,进行欧姆接触特性的测试.实验结果表明了NaOH溶液处理表面对改善材料表面和欧姆接触特性是比较有效的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	龚欣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	19	2.0	4.0
3	吕玲	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	20	2.0	4.0