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摘要:
首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl2O4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342").用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm.
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文献信息
篇名 ZnAl2O4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响
来源期刊 半导体学报 学科 物理学
关键词 ZnO单晶厚膜 MVPE ZnAl2O4缓冲层 溶胶-凝胶法 ZnO-Al2O3固溶体 DCXRD
年,卷(期) 2008,(7) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1334-1337
页数 4页 分类号 O484.1
字数 2579字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.020
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO单晶厚膜
MVPE
ZnAl2O4缓冲层
溶胶-凝胶法
ZnO-Al2O3固溶体
DCXRD
研究起点
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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