ZnAl2O4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响

• 作者: 何金孝 崔军朋 曾一平 李晋闽 段垚 王晓峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO单晶厚膜 MVPE ZnAl2O4缓冲层 溶胶-凝胶法 ZnO-Al2O3固溶体 DCXRD
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1334-1337
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2579字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.020

摘要

首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl2O4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342").用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm.