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摘要:
在550℃下,通过Au-Ag合金助催热蒸发氧化亚锡,制备了25nm的Sn02纳米线.测试了Sn02纳米线的室温光致发光谱,其四个发光峰中,418nm的峰足新发现的峰,它是孪晶纳米线的面缺陷造成的.SnO2纳米线的低温生长机制遵从VLS生长机制,且与5nO粉末的应用有一定的关系.Sn02纳米线的较小尺度与气相因子的低温度低浓度化学反应有关.
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关键词云
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文献信息
篇名 SnO2纳米线的低温生长及光致发光研究
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 晶体生长 纳米材料 形貌 光致发光
年,卷(期) 2008,(8) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1469-1474
页数 6页 分类号 TB303
字数 1199字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王冰 深圳大学电子科学与技术学院深圳微纳光子信息技术重点实验室 9 29 4.0 5.0
2 徐平 深圳大学电子科学与技术学院深圳微纳光子信息技术重点实验室 36 137 6.0 10.0
3 杨国伟 中山大学光电材料与技术国家重点实验室 2 7 2.0 2.0
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
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大16开
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1980
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