高温AlN模板上p型GaN的生长研究

• 作者: 刘挺 周勋 廖秀英 杨晓波 王振 罗木昌 赵文伯 赵红 邹泽亚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高温AlN 渐变δ掺杂 均匀掺杂 金属有机物化学气相沉积 p型GaN
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 128-132
• 页数: 5页
• 分类号: O471.4
• 字数: 3702字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.023

摘要

利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178",其空穴氧浓度为5.78×1017 cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017 cm-3.