基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器

• 作者: 张健 张海英 李志强 陈普峰 陈立强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGeBi CMOS 锁相环 高纯度 环路带宽
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 655-659
• 页数: 5页
• 分类号: TN433
• 字数: 907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.008

摘要

介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS的整数N频率综合器.通过采用不同工艺来实现不同模块,实现了一个具有良好的杂散和相噪性能的高纯度频率综合器.除环路滤波器外所有的部件均采用差分电路结构.为了进一步减小相位噪声,压控振荡器中采用绑定线来形成谐振.该频率综合器可在2.39～2.72 GHz的频率范围内输出功率OdBm.在100kHz频偏处测得的相位噪声为-95dBc/Hz,在1MHz频偏处测得的相位噪声为-116dBc/Hz.参考频率处杂散小于-72dBc.在3V 的工作电压下,包括输出驱动级在内的整个芯片消耗60mA电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	中国科学院微电子研究所	272	3714	30.0	51.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	李志强	中国科学院微电子研究所	53	335	11.0	15.0
4	陈立强	中国科学院微电子研究所	14	62	4.0	7.0
5	陈普峰	中国科学院微电子研究所	5	13	3.0	3.0