8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制

• 作者: 刘新宇 刘果果 和致经 李诚瞻 郑英奎 魏珂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管 微波功率 栅场板
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1354-1356
• 页数: 3页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 1920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.025

摘要

报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMT X波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为lmm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为236mS/mm,截止频率(fT)达到30GHz,最大振荡频率(fmax)为32GHz,8GHz下在片进行连续波测试,漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB,输出功率达8W,功率附加效率(PAE)为45%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
3	刘果果	中国科学院微电子研究所	12	56	4.0	7.0
4	魏珂	中国科学院微电子研究所	24	134	5.0	10.0
5	郑英奎	中国科学院微电子研究所	15	43	4.0	6.0
6	李诚瞻	中国科学院微电子研究所	12	49	4.0	6.0