InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究

• 作者: 刘晓东 文锦辉 林位株 滕利华 赖天树 陈小雪 黄绮雯
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子自旋 InGaN 自旋极化 自旋弛豫
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3853-3856
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3128字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.06.091

摘要

采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In0.1Ga0.9N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为0.2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3:1,而不支持1:1或1:0.94的观点.同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理.