脉冲负偏压的占空比对多孔氧化硅薄膜拉曼光谱的影响

• 作者: 丁可 刘磊 张菁 杨沁玉 王庆瑞
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 占空比 拉曼光谱 多孔氧化硅
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: "2008第七届中国国际纳米科技(武汉)研讨会"论文专辑
• 页码范围: 169-172
• 页数: 4页
• 分类号: O539
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.043

摘要

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以硅烷为源气体,在玻璃基片上沉积得到多孔的氧化硅薄膜.将反应过程中加在沉积区域的脉冲负偏压固定在-300V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜样品的结构、形貌均不相同.拉曼光谱显示,位于480cm-1附近的峰在低占空比条件下存在,但是当占空比升高到0.702时该峰基本消失.位于560cm-1附近的峰则随着占空比的继续升高而增强,并出现蓝移,这说明薄膜样品中的非晶硅在占空比升高时消失,氧化硅所占比例不断增加,同时颗粒变小.扫描电镜照片也表明,组成多孔氧化硅薄膜的颗粒在占空比增大时变得细腻并且薄膜整体变得蓬松多孔.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王庆瑞	东华大学材料学院	70	758	15.0	24.0
2	杨沁玉	东华大学材料学院	10	49	4.0	6.0
6	张菁	东华大学理学院	41	254	9.0	14.0
7	丁可	东华大学理学院	10	42	4.0	6.0
8	刘磊	东华大学理学院	3	9	2.0	3.0