Vishay新型功率MOSFET刷新导通电阻记录

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 导通电阻 刷新 额定电压 封装类型 栅极电荷 器件 N通道
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 页码范围: 41
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

日前，Vishay推出一款新型25Vn通道器件——SiR476DP，从而扩展了其GenIIITrenchFET功率M0sFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。