氢化对ZnO发光性质的影响

• 作者: 张宝林 张源涛 杜国同 马艳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 氢化 PL谱
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 526-529
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.023

摘要

通过低温光致发光(PL)谱研究氢化对ZnO发光性质的影响.氢通过一个直流等离子体发生装置引入到ZnO晶体.研究发现氢的引入影响了束缚激子的相对发光强度,特别是氢化以后I4峰(3.363eV)的强度增加.与未氢化样品相比较,氢化样品显示出不同的温度依赖PL谱.在4.2K温度下,测量了氢化样品表面以下不同深度处的PL谱.研究发现I4峰的强度和I4峰与I8峰强度比随深度变化而变化,说明了在引入的氢和浅施主之间的直接联系.一般而言,氢化会增强带边发射并钝化绿光发射.