一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真

• 作者: 亢宝位 吴郁 周文定 王浩 胡冬青
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 内透明集电极 PT-IGBT NPT-IGBT 高复合层
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 348-351
• 页数: 4页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 2731字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.030

摘要

对新近提出的一种新结构的IGBT--内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题.对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较.仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其在具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁	北京工业大学电子信息与控制工程学院	38	215	9.0	13.0
2	亢宝位	北京工业大学电子信息与控制工程学院	28	291	10.0	16.0
3	王浩	北京工业大学电子信息与控制工程学院	16	102	5.0	9.0
4	胡冬青	北京工业大学电子信息与控制工程学院	27	114	7.0	9.0
5	周文定	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	84	3.0	3.0