基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究

• 作者: 张国樑 彭琰 曾云 李晓磊 王太宏
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 阈值电压 信噪比 动态范围 有源像素传感器
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 15-17
• 页数: 3页
• 分类号: TN36
• 字数: 1480字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2008.06.005

摘要

提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动态范围和更快的读出速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王太宏	湖南大学微电子研究所	38	322	11.0	16.0
2	曾云	湖南大学微电子研究所	102	899	13.0	27.0
3	李晓磊	湖南大学微电子研究所	3	1	1.0	1.0
7	张国樑	湖南大学微电子研究所	2	1	1.0	1.0
8	彭琰	湖南大学微电子研究所	3	32	2.0	3.0