NAND FLASH编程实现研究分析

• 作者: 王鲁静 郑正奇 陆林燕
• 来源期刊: 计算机技术与发展
• 学科: 工学
• 关键词: NAND FLASH 写操作 地址转换 ECC校验
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 智能、算法、系统工程
• 页码范围: 118-120,124
• 页数: 4页
• 分类号: TP311
• 字数: 2510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-629X.2008.03.033

摘要

以阐明编程支持NAND FLASH的方法为目的.总览了NAND FLASH层次结构;讨论了NAND FLASH的写操作过程,这种写操作的特点也是FLASH有别于其它存储介质的地方,同时也对NAND FLASH的擦除操作做了介绍;在对整体的框架和特点有了了解之后,进一步对编程支持NAND FLASH的过程中会遇到的一些概念和细节给出了具体的说明.对NAND FLASH的编程支持有一定的复杂性,但只要了解了它的工作方式,也并非难事.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑正奇	华东师范大学电子系	58	337	9.0	16.0
2	王鲁静	华东师范大学电子系	2	21	1.0	2.0
3	陆林燕	华东师范大学电子系	2	21	1.0	2.0