适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管仿真

• 作者: 俞跃辉 季明华 王曦 肖德元 谢志峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 亚10nm器件 圆柱体全包围栅场效应管 器件物理 器件工艺仿真
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 447-457
• 页数: 11页
• 分类号: TN386
• 字数: 1030字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.010

摘要

提出了一种适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管.报道了圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程.与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比,该器件特别适用于解决常规鳍形场效应管器件所面临的问题,进一步提高器件性能及按比例缩小能力.技术仿真结果显示,圆柱体全包围栅场效应管具备许多常规鳍形场效应管器件,其中包括长方体全包围栅场效应管所不具备的优点.就圆柱体全包围栅场效应管器件结构而言,该器件由无数多个将圆柱体形沟道全部包围的栅所控制.由于克服了由不对称场的积聚,如锐角效应所导致的漏电,器件沟道的电完整性得到很大改善.详细讨论了器件制作工艺流程,提出的工艺流程简单并且与常规CMOS工艺流程兼容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	俞跃辉	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	55	5.0	6.0
2	王曦	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	60	322	10.0	15.0
3	肖德元		5	45	4.0	5.0
7	谢志峰		2	9	2.0	2.0
8	季明华		1	6	1.0	1.0