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摘要:
Spire Semiconductor刚刚赢得美国政府300万资金,用来重新设计化合物半导体电池,努力削减成本并提高效率。
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文献信息
篇名 Spire获300万设计Ⅲ—Ⅴ太阳电池
来源期刊 中国建设动态:阳光能源 学科 工学
关键词 太阳电池 SEMICONDUCTOR 设计 化合物半导体 美国政府
年,卷(期) 2008,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 59
页数 1页 分类号 TN929.53
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研究主题发展历程
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太阳电池
SEMICONDUCTOR
设计
化合物半导体
美国政府
研究起点
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期刊影响力
中国建设动态:阳光能源
双月刊
北京市石景山万达广场E座711
出版文献量(篇)
2760
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