预处理蓝宝石衬底上生长高质量 GaN 显示薄膜

• 作者: 冯玉春 刘晓峰 彭冬生 牛憨笨
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 表面处理 GaN薄膜
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 自发光显示器
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 222字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.01.014

摘要

采用化学方法腐蚀部分 c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用 LP-MOCVD 在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长 GaN 薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、光致发光光谱(PL)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,CaN 薄膜透射谱反映出的 CaN 质量与 X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(1012)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到 208.80arcsec 及 320.76arcsec,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯玉春	深圳大学光电子学研究所	19	103	7.0	9.0
2	牛憨笨	深圳大学光电子学研究所	71	772	13.0	25.0
3	彭冬生	中国科学院西安光学精密机械研究所	11	47	4.0	6.0
12	刘晓峰	深圳大学光电子学研究所	4	20	2.0	4.0