SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究

• 作者: 朱巧智 王德君 王海波 赵亮 陈素华 马继开
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiO2/SiC界面 4H-SiC ADXPS 界面态 缺陷
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 944-949
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 4443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.05.027

摘要

采用角依赖X射线光电子谱技术(ADXPS)对高温氧化SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究.通过控制1%浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间,制备出超薄膜(1～1.5nm)样品,同时借助标准物对照分析,提高了谱峰分解的可靠性.结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面,同时存在着Si1+,Si2+,Si33+3种低值氧化物,变角分析表明,一个分层模型适合于描述该过渡区的成分分布.建立了过渡区的原子级模型并计算了氧化膜厚度.结合过渡区各成分含量的变化及电容-电压(C-V)测试分析,揭示了过渡区成分与界面态的直接关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵亮	大连理工大学电子与信息工程学院	75	528	12.0	19.0
2	王德君	大连理工大学电子与信息工程学院	22	102	4.0	9.0
3	朱巧智	大连理工大学电子与信息工程学院	10	70	4.0	8.0
4	马继开	大连理工大学电子与信息工程学院	3	13	3.0	3.0
5	陈素华	大连理工大学电子与信息工程学院	3	10	2.0	3.0
6	王海波	大连理工大学电子与信息工程学院	6	84	4.0	6.0