总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器

• 作者: 刘刚 刘梦新 李多力 赵发展 赵超荣 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 部分耗尽SOI 译码器 总剂量 辐照
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1036-1039
• 页数: 4页
• 分类号: TN46
• 字数: 842字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.06.003

摘要

报道了一种制作在SIMOX晶圆之上的总计量加固的2μm部分耗尽SOI CMOS 3线-8线译码器电路,其辐照特性由晶体管的阚值电压、电路的静态泄漏电流以及电流电压特性曲线表征.实验表明,该译码器的抗总剂量能力达3×105rad(Si),nMOS管和pMOS管在最坏情况下前栅沟道阈值漂移分别小于20和70mV,并且在辐照、退火以及后续追加辐照过程中无明显的泄漏电流增加,电路的功能并未退化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院徽电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	刘刚	中国科学院徽电子研究所	207	2369	24.0	40.0
3	李多力	中国科学院徽电子研究所	16	52	4.0	6.0
4	赵发展	中国科学院徽电子研究所	13	109	5.0	10.0
5	刘梦新	中国科学院徽电子研究所	16	70	5.0	7.0
6	赵超荣	中国科学院徽电子研究所	2	13	2.0	2.0