外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性

• 作者: 曹俊诚 王立敏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 太赫兹场 磁场 响应率
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1357-1359
• 页数: 3页
• 分类号: TL814
• 字数: 1967字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.026

摘要

外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.因此通过改变磁场能够对HEMT的振荡响应实现有效调谐.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹俊诚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	39	485	10.0	21.0
2	王立敏	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	6	17	3.0	4.0