基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备

• 作者: 姜岩峰 王建平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自旋电子学 稀磁半导体 退火 居里温度
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1436-1440
• 页数: 5页
• 分类号: TN286
• 字数: 599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.002

摘要

研究了基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备方法,不同于其他人采用的MBE或MOCVD生长的方法,用离子注入的方法进行材料制备,能够与现有的集成电路工艺相兼容,用这种方法所对应的样品的居里温度320K,高于室温,具有潜在应用的价值.在制备过程中,采用了HNH退火工艺,即退火分为三个阶段,每个阶段对应不同的退火气氛、时间和温度,XRD分析表明,每个阶段都对应不同的结晶结果.另外,对应不同的Fe离子浓度,进行了实验对比,结果表明,当x=0.051的情况下对应最高的居里温度.