含N'N-二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理

• 作者: 刘永顺 吴一辉 张平 张涛 杨建成
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 微电铸工艺 N'N-二乙基硫脲 活性极化 电化学行为 填洞能力
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 微纳技术与精密机密
• 页码范围: 1701-1705
• 页数: 5页
• 分类号: TN405|TG249.9
• 字数: 2882字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2008.09.023

摘要

为了研究含N'N-二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理,采用线性伏安法、循环电压电流溶出法(CVS)、扫描电镜(SEM)以及XRD测量法研究了N'N一二乙基硫脲对微电铸工艺电化学行为的影响,并借助塔菲尔方程,研究了微电铸铜反应过程中的电极动力学参数.结果表明,当微电铸铜工艺中加入N'N-二乙基硫脲添加剂时,产生活性极化,提高了铜离子还原时所需的活化能,金属离子的放电速度从2.2214mA/cm2降低到约0.076mA/cm2,从而增加了反应时的过电位,促使电极表面晶核成型速度增加,晶体成长速度由2.57μm/min降低到约0.17μm/min,铜离子的平滑能力提高约50%,有效地减小了微电铸时的边沿效应,使金属铜具有良好的填充微型孔洞的能力.本实验通过微电铸工艺成功地将金属铜填充入宽为10μm,深宽比为4:1的微型凹槽中,且镀层内没有空洞、空隙及细缝等缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张涛	天津工业大学机械电子学院	24	107	7.0	10.0
2	杨建成	天津工业大学机械电子学院	67	266	9.0	12.0
3	吴一辉		13	103	5.0	9.0
4	张平		5	40	3.0	5.0
5	刘永顺		3	32	2.0	3.0