1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC

• 作者: 刘亮 叶甜春 尹军舰 张健 张海英 徐静波 李潇 王文新 黎明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MHEMT Pt/Ti/Pt/Au Ti/Pt/Au SPDT MMIC
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 668-671
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 843字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.011

摘要

利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	中国科学院微电子研究所	272	3714	30.0	51.0
2	徐静波	中国科学院微电子研究所	15	55	4.0	6.0
3	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
4	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
5	刘亮	中国科学院微电子研究所	87	679	10.0	25.0
6	李潇	中国科学院微电子研究所	23	130	7.0	10.0
7	黎明	中国科学院微电子研究所	41	329	12.0	17.0
8	王文新	中国科学院物理研究所	15	50	4.0	6.0