铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质

• 作者: 张瑞 张璠 杨俊 董志远 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 掺杂 化学气相传输 单晶
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1540-1543
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 2248字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.024

摘要

研究了In掺杂n型zno体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、x射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行r分析.掺In后容易获得浓度为1018～lO19cm-3的n型ZnO单晶,掺人杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,znO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In-ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张瑞	中国科学院半导体研究所	62	318	11.0	14.0
2	杨俊	中国科学院半导体研究所	99	1556	22.0	36.0
3	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
4	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
5	张璠	中国科学院半导体研究所	4	23	3.0	4.0