基于切片分析的CMOS组合电路贝叶斯动态功耗模型

• 作者: 佟冬 李险峰 程旭 谢劲松 陈杰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 切片分析 贝叶斯推理 功耗模型 CMOS组合电路
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 502-509
• 页数: 8页
• 分类号: TP391.77
• 字数: 652字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.019

摘要

为改善周期精确级功耗分析的准确度和速度问题,使用多维特征参数建立贝叶斯推理的动态功耗模型.基于功耗分布与电路内部节点状态的分析,发现仅使用端口信息作为参数的不足.定义了门单元级数的计算和对应切片的概念,提出使用切片分析的技术提取电路内部关键层的翻转密度作为参数,与端口信息共同参与贝叶斯推理.基于ISCAS85基准电路的实验结果表明,该方法使原始模型的误差降低21.9%,均方差降低25.0%,同时保持了相对现有门级功耗分析700倍的加速比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程旭	北京大学微处理器研究开发中心	85	436	11.0	16.0
2	佟冬	北京大学微处理器研究开发中心	51	284	8.0	14.0
3	陈杰	北京大学微处理器研究开发中心	30	368	8.0	19.0
4	李险峰	北京大学微处理器研究开发中心	13	85	3.0	9.0
5	谢劲松	北京大学微处理器研究开发中心	3	1	1.0	1.0