高压MOSFET直流特性宏模型的建立与参数优化

• 作者: 丁艳芳 万星拱 任铮 石艳玲 胡少坚 许佳宜 赖宗声
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压双扩散漏MOS晶体管 MESFET 尺寸可缩放宏模型 SPICE模型
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1561-1565
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3093字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.029

摘要

分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET(HV double diffuse drain MOSFET)模拟过程中产牛的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MESFET,二极管等常规SPICE器件组成的高压晶体管宏模型.该宏模型结构简单、使用方便,能准确描述HVMOS的I-V特性.为了提高该模型的尺寸可缩放性(scalability),将MESFET阈值电压对体电压的敏感因子K1进行优化,提取了不同沟道尺寸(W/L)下K1取值的半经验公式,使该宏模型能够适用于不同尺寸的晶体管,大大提高了它的实用价值.该尺寸可缩放宏模型(scalable macromodel)能应用于基于SPICE模型的各种通用EDA软件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学信息学院电子系	47	205	8.0	12.0
2	赖宗声	华东师范大学信息学院电子系	136	779	13.0	18.0
3	任铮		7	19	3.0	4.0
4	胡少坚		12	22	3.0	4.0
5	万星拱		7	18	3.0	3.0
6	丁艳芳	华东师范大学信息学院电子系	5	16	2.0	4.0
7	许佳宜	华东师范大学信息学院电子系	1	2	1.0	1.0