高栅压电子注入损伤对产生电流的影响

• 作者: 郝跃 陈海峰 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 产生电流 高栅压应力 陷落电子EEACC:2530 2560R
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 875-878
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1758字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.05.013

摘要

用反向GD法研究了高栅压应力下的LDD nMOSFET中的损伤情况.发现这种应力下产生电流峰值随着应力时间的增大变小,峰值变小和氧化层中负陷阱电荷增大的趋势一致.峰值变小是由于应力中氧化层陷阱电子起主导作用,从而减小了漏电压的有效作用,使得产生率最大值变小.应用这种新模型定量得出了影响漏电压的等效电荷密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	陈海峰	西安电子科技大学微电子学院	8	32	4.0	5.0
3	马晓华	西安电子科技大学微电子学院	40	140	7.0	8.0