用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管

• 作者: 仲飞 刘彭义 张靖磊
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 有机发光二极管 ZnS薄膜 空穴缓冲层 电流效率
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 自发光显示器
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN383.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.01.010

摘要

用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的 OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al) 的发光性能得到改善.ZnS 缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为 5 nm 时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓冲层厚度为5、10 nm时,器件的发光电流效率增加40%.研究结果表明 ZnS 薄膜是一种好的缓冲层材料,它能够提高器件的发光效率,改善器件的稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张靖磊	暨南大学物理学系	10	49	4.0	6.0
2	刘彭义	暨南大学物理学系	53	370	10.0	18.0
3	仲飞	暨南大学物理学系	9	85	6.0	9.0