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摘要:
本实用新型公开了一种硅光电检测器,硅光电检测器的N+层的下表面设置有N型欧姆接触层,非掺杂本征层上端设有绝缘层,绝缘层上设置有与P+型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层,绝缘层上具有一个入射光窗口,硼扩散区位于该入射窗口的下方,非掺杂本征层位于N+层与硼扩散区之间,所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层,该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P+型浓硼扩散层之间,
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文献信息
篇名 硅光电检测器
来源期刊 有机硅氟资讯 学科 工学
关键词 光电检测器 硼扩散 绝缘层 本征层 非掺杂 扩散层 实用新型
年,卷(期) yjgfzx_2008,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 28
页数 1页 分类号 TN304.12
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研究主题发展历程
节点文献
光电检测器
硼扩散
绝缘层
本征层
非掺杂
扩散层
实用新型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
有机硅氟资讯
月刊
16开
广州市越华路116号
2001
chi
出版文献量(篇)
4575
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2
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